電池FPC告訴你我國5G芯片面臨的主要挑戰(zhàn)
電池FPC小編知道當(dāng)前我國正在大力開展5G技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化的前沿布局，在5G芯片領(lǐng)域取得積極進(jìn)展，技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程不斷加快。一方面我國政府高度重視5G芯片的發(fā)展，中國制造2025、"十三五"國家信息化規(guī)劃、信息通信行業(yè)發(fā)展規(guī)劃、國家科技重大專項(xiàng)、工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)資金、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金等為5G芯片的發(fā)展提供良好的支撐環(huán)境。另一方面我國企業(yè)和科研院所圍繞5G芯片積極布局，有企業(yè)正在加快5G基帶芯片研發(fā)進(jìn)程；PA、濾波器等5G高頻器件的研發(fā)也已陸續(xù)展開；有的企業(yè)在化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域有所突破。經(jīng)過長(zhǎng)期積累，我國集成電路產(chǎn)業(yè)在移動(dòng)芯片領(lǐng)域已取得巨大進(jìn)展，但5G面臨的瓶頸問題依然突出。
第一，關(guān)鍵核心技術(shù)缺失
國內(nèi)5G 芯片產(chǎn)品研發(fā)面臨國外專利封鎖，部分關(guān)鍵核心技術(shù)缺失，如國外射頻芯片和器件技術(shù)已經(jīng)非常成熟，尤其是面向高頻應(yīng)用的BAW和FBAR 濾波器，有企業(yè)已有多年技術(shù)積累，我國BAW和FBAR專利儲(chǔ)備十分薄弱，自主研發(fā)面臨諸多壁壘。
第二，制造水平依然落后
國內(nèi)5G 芯片缺乏成熟的商用工藝支撐，整體落后世界領(lǐng)先水平兩代以上。砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng)主要被一些臺(tái)灣大廠壟斷。
第三，產(chǎn)業(yè)配套有待完善
5G 芯片關(guān)鍵裝備及材料配套主要由境外企業(yè)掌控。設(shè)備方面，制造化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵核心設(shè)備MOCVD仍主要被德國和美國所壟斷，國內(nèi)企業(yè)正在積極突破。材料方面，以日本住友為代表的企業(yè)在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯；法國和日本等企業(yè)在SOI 晶圓材料市場(chǎng)占有率較高；封裝用的高端陶瓷基板材料基本都是從日本和臺(tái)灣地區(qū)進(jìn)口。
第四，產(chǎn)業(yè)生態(tài)亟需營造
當(dāng)前我國5G芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及裝備材料配套等產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同性不足，通信設(shè)備整機(jī)廠商和國外芯片廠商之間的合作慣性一時(shí)還難以打破，國內(nèi)芯片缺乏與軟件、整機(jī)設(shè)備、系統(tǒng)應(yīng)用、測(cè)試儀器儀表等產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)節(jié)的緊密互動(dòng)。
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